上海 Hakuto 離子束刻蝕機 IBE
伯東 Hakuto 日本原裝設計制造離子束刻蝕機 IBE (離子蝕刻機) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. IBE 刻蝕機幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產需要. IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!
離子束刻蝕機 IBE
適用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件等刻蝕工藝, 滿足研發(fā)和量產需求
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型號 |
4 IBE |
7.5 IBE |
16 IBE |
20 IBE-C |
MEL 3100 |
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樣品數量尺寸 |
4”φ, 1片 |
4”φ, 1片 |
6”φ, 1片 |
4”φ, 6片 |
3”φ-6”φ,1片 |
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均勻性 |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
≤±5% |
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