KRi 考夫曼離子源
1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能.
在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), 具有原子級控制的材料和表面特征.
美國 KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr. Harold Kaufman
1926 年在美國出生 |
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射頻離子源 RFICP 380
大口徑射頻離子源, 3層柵極設(shè)計, 離子源柵極口徑 30cm, 滿足 300 mm (12英寸) 晶圓應(yīng)用
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
RFICP 380 |
100-1200 V |
>1500 mA |
38 cm Φ |
平行, 聚焦, 散射 |
射頻離子源 RFICP 220
高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
RFICP 220 |
100-1200 V |
>1000 mA |
22 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 160
KDC 160 是考夫曼離子源 KDC 系列最大, 離子能量最強的柵極離子源, 適用于離子刻蝕, 真空鍍膜
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 160 |
100-1200 V |
>650 mA |
16cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
射頻離子源 RFICP 140
緊湊設(shè)計離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
RFICP 140 |
100-1200 V |
>600 mA |
14 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
考夫曼離子源 KDC 75
緊湊柵極離子源, 適用于中小型腔內(nèi)
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 75 |
100-1200 V |
>250 mA |
7.5cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 100
廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中
型號 |
離子束動能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
KDC 100 |
100-1200 V |
>400 mA |
12cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |