上海 KRi 射頻離子源 Gridded RFICP
1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能.
在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), 具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.
美國 KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
射頻離子源 RFICP 380
大口徑射頻離子源, 3層?xùn)艠O設(shè)計(jì), 離子源柵極口徑 30cm, 滿足 300 mm (12英寸) 晶圓應(yīng)用
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型號(hào) |
離子束動(dòng)能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 380 |
100-1200 V |
>1500 mA |
38 cm Φ |
平行, 聚焦, 散射 |
射頻離子源 RFICP 220
高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用
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型號(hào) |
離子束動(dòng)能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 220 |
100-1200 V |
>1000 mA |
22 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射頻離子源 RFICP 140
緊湊設(shè)計(jì)離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕
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型號(hào) |
離子束動(dòng)能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 140 |
100-1200 V |
>600 mA |
14 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射頻離子源 RFICP 100
適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >350 mA 離子流.
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型號(hào) |
離子束動(dòng)能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 100 |
100-1200 V |
>350 mA |
10 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射頻離子源 RFICP 40
RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi)
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型號(hào) |
離子束動(dòng)能 |
最大離子束流 |
柵極直徑 |
離子束流形狀 |
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RFICP 40 |
100-1200 V |
>100 mA |
4 cm Φ |
平行,聚焦,散射 |
射頻等離子體源 RF2100ICP
射頻等離子體源 RF2100ICP, 通過 RFICP 放電激活等離子體: 產(chǎn)生 100% O?, N? 反應(yīng)等離子束
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型號(hào) |
離子束動(dòng)能 |
最大離子束流 |
等離子尺寸直徑 |
離子束流形狀 |
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RF2100ICP |
5-50V |
> 500mA |
14cmφ |
散射 |