KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)型號的 RFICP 140 可以在離子能量為 100~1200 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流.

KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):

陽極	電感耦合等離子體 1kW & 1.8 MHz 射頻自動匹配
最大陽極功率	1kW
最大離子束流	> 500mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2,其他
流量	5-40sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學(xué), 自對準(zhǔn)	OptiBeamTM
離子束柵極	14cm Φ
柵極材質(zhì)	鉬, 石墨
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or?RFN
高度	25.1 cm
直徑	24.6 cm
鎖緊安裝法蘭	12”CF

KRI 射頻離子源 RFICP 140 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)?40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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