離子蝕刻機 20IBE-C
上海伯東日本原裝進口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機 20 IBE-C, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻

φ4 inch X 6片	基板尺寸	< φ3 inch X 8片 < φ4 inch X 6片 < φ8 inch X 1片	可選
	樣品臺	樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉(zhuǎn)
	離子源	20cm 考夫曼離子源
	均勻性	±10% for 8”Ф
	硅片刻蝕率	20 nm/min
	溫度	<100

NS 離子蝕刻機 20IBE-C 組成

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 刻蝕機設(shè)計使用自動化的操作流程, 非常友好的使用生產(chǎn)過程







自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經(jīng)驗, 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場驗證的刻蝕技術(shù)! 上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

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上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
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