NS 離子蝕刻機(jī) 20 IBE-J
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī) 20 IBE-J.

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 φ6 inch X 8片
	樣品臺(tái)	直接冷卻,水冷
	離子源	20cm 考夫曼離子源

離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國(guó) Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程
 

Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子束刻蝕機(jī) IBE (離子蝕刻機(jī)) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級(jí)別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發(fā)和量產(chǎn)需要. IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.

伯東公司超過(guò) 50年的離子刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!

若您需要進(jìn)一步的了解離子束刻蝕機(jī) IBE 詳細(xì)信息, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
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