KRi 考夫曼離子源典型應(yīng)用 IBF 離子束拋光工藝
離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學(xué)零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機(jī)的核心部件. 上海伯東美國 KRi 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī)及晶體硅片離子束拋光機(jī).

考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)更符合離子源在離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

考夫曼離子源 KDC 10 安裝于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī)
1. 基材: 100 mm 光學(xué)鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).

 

離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖

離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖

考夫曼離子源 KDC 40 安裝于晶體硅片離子束拋光機(jī)
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )

 

離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖

離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖

 
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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