KRi 考夫曼離子源典型應(yīng)用 IBF 離子束拋光工藝閱讀數(shù): 6883

KRi 考夫曼離子源典型應(yīng)用 IBF 離子束拋光工藝
離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學(xué)零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機(jī)的核心部件. 上海伯東美國 KRi 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī)及晶體硅片離子束拋光機(jī).
考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)更符合離子源在離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
考夫曼離子源 KDC 10 安裝于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī)
1. 基材: 100 mm 光學(xué)鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).
離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
考夫曼離子源 KDC 40 安裝于晶體硅片離子束拋光機(jī)
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )
離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:
型號 |
|||||
Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
中和器 |
燈絲 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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