離子束刻蝕機 4IBE
上海伯東日本原裝進口小型 4英寸離子蝕刻機,適用于科研院所, 實驗室研究, 干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件等

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 刻蝕機設計使用自動化的操作流程, 非常友好的使用生產(chǎn)過程

4英寸離子蝕刻機主要參數(shù)

型號	4IBE
樣品數(shù)量尺寸	φ4” X1
離子束入射角度	0～± 90
離子源	考夫曼離子源
極限真空度 Pa	≦1x10-4
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s	350
均勻性	≤±5%

伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經(jīng)驗, 擁有龐大的安裝基礎和經(jīng)過市場驗證的刻蝕技術!

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