上海 KRi 離子源真空鍍膜應(yīng)用
1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能.
在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), 具有原子級控制的材料和表面特征.
美國 KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
KRI 射頻離子源典型應(yīng)用 LED-DBR 輔助鍍膜
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離子源典型應(yīng)用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機中, 實現(xiàn)離子輔助鍍膜 IBAD 及預(yù)清潔 Pre-clean, 完成 LED-DBR 鍍膜生產(chǎn) |
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KRi 射頻離子源 RFICP 220 IBE 離子束刻蝕
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離子源典型應(yīng)用: KRI 射頻離子源安裝在12英寸和8英寸的 IBE 離子束刻蝕系統(tǒng), 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1% |
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KRI 射頻離子源應(yīng)用于塑膠光學(xué)鏡頭鍍膜
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離子源典型應(yīng)用: 應(yīng)用于智能型手機鏡頭, 車用鏡頭, VR 虛擬現(xiàn)實鏡頭的塑膠光學(xué)鏡頭鍍膜, 通過使用射頻離子源 RFICP 325 成功鍍膜于塑膠基板并且通過 1,500 小時高溫高濕嚴苛環(huán)境測試 |
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KRI 霍爾離子源典型應(yīng)用 IBE 離子刻蝕
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離子源典型應(yīng)用: 安裝在小型離子蝕刻機中的 KRI 霍爾離子源 EH 400 HC, 對 2英寸硅芯片蝕刻 |
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KRI 霍爾離子源典型應(yīng)用 IBAD 輔助鍍膜
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離子源典型應(yīng)用: 直徑 2.2m 蒸鍍機, 霍爾離子源用于蒸鍍直徑 1.5m 天文望遠鏡鏡片全反射膜, 僅需安裝1臺 EH 3000 HC 霍爾離子源, 即可完成鍍膜, 直接降低企業(yè)成本! |
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KRI 霍爾離子源典型應(yīng)用 PC 預(yù)清潔后,IBAD 輔助鍍膜
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上海伯東離子源典型應(yīng)用: 霍爾離子源應(yīng)用于光學(xué)鍍膜機加裝, 鍍膜腔體約 2 m3, 加裝霍爾源 EH 4200, 實現(xiàn)預(yù)清潔 PC 和輔助鍍膜 IBAD |
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KRi 霍爾離子源典型應(yīng)用濺鍍鍍膜預(yù)清潔工藝 Pre-clean
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霍爾離子源典型應(yīng)用: EH400F 應(yīng)用于 6寸硅片電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預(yù)清潔工藝 Pre-clean, 在電源管理集成電路芯片 PMIC 的壓電材料鍍膜前將硅片做清潔及平整化處理, 提高膜層的附著力及提高生產(chǎn)良率. |
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KRi 考夫曼離子源典型應(yīng)用 IBF 離子束拋光工藝
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上海伯東離子源典型應(yīng)用: 考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面 |
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