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KRI 考夫曼霍爾離子源光學(xué)蒸鍍鍍膜機(jī)應(yīng)用
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KRI 考夫曼霍爾離子源光學(xué)蒸鍍鍍膜機(jī)應(yīng)用

伯東公司 KRI 考夫曼霍爾離子源光學(xué)蒸鍍鍍膜機(jī)應(yīng)用

常見蒸鍍機(jī)臺與對應(yīng) KRI 霍爾離子源型號:

蒸鍍機(jī)臺尺寸

KRI 離子源

~1100mm

eH1010

1100~1400mm

eH1010, eH1020

1400~1900mm

eH1020, eH3000


離子源


KRI 考夫曼霍爾離子源 controller 自動化控制及聯(lián)機(jī)自動化設(shè)計,提供使用者在操作上更是便利。

離子源


KRI 考夫曼霍爾離子源 Gun body 模塊化之設(shè)計、提供使用者在于基本保養(yǎng)中能夠降低成本及便利性。

離子源


伯東公司客戶 1400 mm 蒸鍍鍍膜機(jī)安裝 KRI考夫曼霍爾離子源 EH1020 F,應(yīng)用于塑料光學(xué)鍍膜。

離子源
離子源

離子源


KRI 考夫曼霍爾離子源 EH1020 主要參數(shù):

Filament Controller

Discharge controller

Gas controller

17.2A/ 22V

150V/ 4.85A

Ar/ 32sccm

離子源


利用 KRI 考夫曼霍爾離子源輔助鍍膜及無離子源輔助鍍膜對鍍膜質(zhì)量之比較:

 

KRI EH1020 輔助鍍膜

無 Ion Source 輔助鍍膜

鹽水煮沸脫膜測試

優(yōu)

破壞性百格脫膜測試

優(yōu)

光學(xué)折射設(shè)率

膜層致密性

優(yōu)

膜層光學(xué)吸收率

制程腔體加熱溫度

生產(chǎn)成本

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 






KRI 考夫曼霍爾離子源系列主要型號包含:

 

離子源 eH200

 離子源 eH400

離子源 eH1010

離子源 eH1020

離子源 eH3000

Cathode

Filament or Hollow cathode

Filament or Hollow cathode

Filament or Hollow cathode

Filament or Hollow cathode

Hollow cathode

Water Cooled Anode

no

no

no

yes

no

Discharge Currentmax

2 A

3.5 (7) A

10 (7) A

10 (20) A

20 (10) A

Discharge  Voltagemax

300 V

300 (150) V

300 (150 ) V

300 (150) V

250 (300) V

Discharge  Voltagemin

40* V

40* V

40* V

40* V

40* V

Divergence (hmhw)

45°

45°

45°

45°

45°

Height (nominal)

2.0”

3.0”

4.0”

4.0”

6.0”

Diameter (nominal)

2.5”

3.7”

5.7”

5.7”

9.7”


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
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