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霍爾離子源 eH 3000
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霍爾離子源 eH 3000

KRI 霍爾離子源 eH 3000
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對(duì)比, eH 3000 是目前市場(chǎng)上高效, 提供更高離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 3000 特性
水冷 - 加速冷卻
可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí),最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)

eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

50-250V VDC

  - 離子源直徑

~ 7 cm

  - 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)

模塊化

電源控制

eHx-25020A

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

 - 離子束發(fā)散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽(yáng)極

標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved

 - 水冷

前板水冷

 - 底座

移動(dòng)或快接法蘭

 - 高度

4.0'

 - 直徑

5.7'

 - 加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

 - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

 - 安裝距離

16-45”

 - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架;

KRI 霍爾離子源 eH 3000 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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上海伯東: 葉小姐                                  臺(tái)灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                  T: +886-3-567-9508 ext 161
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