KRi 霍爾離子源 eH 1000
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRi 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 實(shí)現(xiàn)離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
工藝氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRi 霍爾離子源 eH 1000 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRi 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300V VDC
- 離子源直徑	~ 5 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動(dòng)或快接法蘭
- 高度	4.0'
- 直徑	5.7'
- 加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	10-36”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRi 霍爾離子源 eH 1000 應(yīng)用
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清洗 Load lock preclean
• 預(yù)清洗 In-situ preclean
• 沉積鍍膜 Direct Deposition
• 表面改性 Surface Modification
• 低能刻蝕 Low-energy etching
• 聚合物基材 Polymer Substrates

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