KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射
對于導(dǎo)電性能良好的金屬材料, 一般直流磁控濺射電源是較為合適的選擇, 上海伯東美國 KRi 直流磁控濺射電源電弧抑制優(yōu)勢, 穩(wěn)定的控制磁控濺射陰極, 減少基材和目標(biāo)的損壞, 增加沉積時(shí)間. 適用于金屬靶材濺射.


金屬靶材濺射過程電弧抑制應(yīng)用
3" Ф 磁控管陰極, 反應(yīng)濺射鋁金屬靶: Ar / 02 氣體混合物

KRi 直流磁控濺射電源消弧技術(shù):
弧檢測 <100 nsec 弧線檢測
電弧處理參數(shù)可調(diào): 弧后檢測延遲時(shí)間, 重新啟動前弧后檢測輸出關(guān)閉時(shí)間
最小電弧能量:< 1mJ, 減少基材和目標(biāo)損壞, 減少粒子生成, 增加沉積時(shí)間
弧度計(jì)數(shù)器: 目標(biāo)條件和工藝環(huán)境的指示



KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射


金屬靶材濺射是一種應(yīng)用于材料制備和表面處理的工藝, 電源不僅影響濺射效率, 還直接關(guān)系到濺射過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量. 上海伯東美國 KRi 離子源多年研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn), 為各類濺射鍍膜機(jī)提供合適的直流濺射電源和鍍膜離子源.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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